반도체열관리 (2) 썸네일형 리스트형 반도체 트랜지스터는 왜 뜨거워질까? 현대의 반도체 칩은 수십억 개의 트랜지스터가 초당 수십억 번의 스위칭을 반복하며 연산을 수행한다. 이 작은 소자들이 끊임없이 전류를 제어하고 신호를 증폭하는 과정에서 열이 발생한다. 반도체에서의 발열은 단순한 부수 현상이 아니라, 성능과 안정성을 결정짓는 핵심 물리 현상이다.1. 트랜지스터 내부에서 열이 생기는 이유트랜지스터는 전류를 제어하는 스위치 역할을 한다. 전자가 흐를 때 저항에 의해 일부 에너지가 열로 변환되는데, 이것이 바로 ‘저항열(Joule Heating)’이다. 또 스위칭 과정에서 전류가 순간적으로 겹치는 구간이 발생하면서 ‘스위칭 손실(Switching Loss)’이 생긴다. 미세공정이 진행될수록 전류 밀도는 높아지고, 단위 면적당 발열량도 급격히 증가한다.2. 열이 칩 내부에서 이동하.. 카우스타브 바네르지: 나노배선과 신소재 카우스타브 바네르지(Kaustav Banerjee) 교수는 미국 캘리포니아대학교 샌타바버라(UCSB)의 전자공학 교수로, 반도체 칩의 전력 효율과 속도를 좌우하는 ‘배선(interconnect)’ 분야의 세계적 권위자다. 그는 전자회로의 미세화가 한계에 부딪힌 이후, 신소재와 새로운 소자 구조를 통해 반도체 시스템의 에너지 효율을 극적으로 향상시키는 방법을 제시했다. 나노배선, 그래핀, 탄소나노튜브, 스핀트로닉스 등 차세대 기술의 융합을 주도하며, 반도체 집적회로의 진화 방향을 새롭게 정의한 인물이다.학문적 배경과 연구 여정바네르지 교수는 인도 IIT 칸푸르에서 전기공학을 전공하고, 미국 버클리대학교에서 박사학위를 받았다. 이후 IBM T.J. 왓슨 연구소에서 집적회로 기술을 연구하다가, 2001년 UC.. 이전 1 다음