반응성이온식각 (1) 썸네일형 리스트형 플라즈마 식각(Plasma Etching)의 원리 1. 왜 플라즈마 식각인가반도체 공정에서 회로는 포토리소그래피로 그려지지만, 실제로 물질을 제거해 구조를 만드는 단계는 식각이다. 미세화가 진행될수록 수직 방향으로만 정확히 깎아내는 이방성 식각이 필수적이며, 이를 가능하게 하는 기술이 바로 플라즈마 식각이다. 플라즈마는 기체를 전자와 이온, 라디칼로 분리한 상태로, 화학 반응성과 방향성 제어를 동시에 제공해 나노 스케일의 정밀 가공을 실현한다.2. 플라즈마란 무엇인가플라즈마는 고주파 전력 등으로 기체에 에너지를 가해 이온화시킨 상태다. 이때 생성되는 구성 종은 다음과 같다.전자: 낮은 질량, 높은 에너지로 충돌 이온화를 유도양이온: 전기장에 의해 가속되어 표면을 물리적으로 두드림라디칼: 화학 반응성이 매우 높은 중성 종으로 표면을 화학적으로 반응시킴메타.. 이전 1 다음